近日，華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心團(tuán)隊(duì)在國內(nèi)率先攻克合成光刻膠所需的原料和配方，助推我國芯片制造關(guān)鍵原材料突破瓶頸。團(tuán)隊(duì)研發(fā)的T150A光刻膠系列產(chǎn)品已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了原材料全部國產(chǎn)配方全自主設(shè)計(jì)，有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。

　　光刻膠是一種感光材料，用于芯片制造的光刻環(huán)節(jié)，工作原理類似于照相機(jī)的膠卷曝光。芯片制造時(shí)，會在晶圓上涂上光刻膠，在掩膜版上繪制好電路圖。當(dāng)光線透過掩膜版照射到光刻膠上會發(fā)生曝光，經(jīng)過一系列處理后，晶圓上就會得到所需的電路圖。由于光刻膠是芯片制造的關(guān)鍵材料，國外企業(yè)對其原料和配方高度保密，目前我國所使用的光刻膠九成以上依賴進(jìn)口。

　　武漢光電國家研究中心團(tuán)隊(duì)研發(fā)的這款半導(dǎo)體專用光刻膠對標(biāo)國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于國外同系列某產(chǎn)品，T150A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達(dá)到120nm，且工藝寬容度更大、穩(wěn)定性更高、留膜率更優(yōu)，其對刻蝕工藝表現(xiàn)更好，通過驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)T150A中密集圖形經(jīng)過刻蝕，下層介質(zhì)的側(cè)壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。

　　團(tuán)隊(duì)在電子化學(xué)品領(lǐng)域深耕二十余載，立足于關(guān)鍵光刻膠底層技術(shù)研究，致力于半導(dǎo)體專用高端電子化學(xué)品原材料和光刻膠的開發(fā)，并以新技術(shù)路線為半導(dǎo)體制造開辟新型先進(jìn)光刻制造技術(shù)，同時(shí)為材料的分析與驗(yàn)證提供全面的手段。

　　團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示：“以光刻技術(shù)的分子基礎(chǔ)研究和原材料的開發(fā)為起點(diǎn)，最終獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的配方技術(shù)，這只是個(gè)開始。我們團(tuán)隊(duì)還會發(fā)展一系列應(yīng)用于不同場景下的KrF與ArF光刻膠，致力于突破國外卡脖子關(guān)鍵技術(shù)，為國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來更多驚喜。”